Установка очистки после химико-механической планаризации (ХМП) Osiris CHEMIXX CMP 30pm

Цена: По запросу
Заявка на консультацию

Установка CHEMIXX 30pm предназначена для отмывки полупроводниковых пластин диаметром до 300 мм, подложек и фотошаблонов размером до 9” x 9”, с использованием растворителей, мегазвука и механической очистки щёткой

Размеры пластин/подложек

Круглые диаметром до 300 мм,

Квадратные с размерами до 9”x 9” (230х230 мм)

Скорость вращения

до 4 000 оборотов в минуту

Количество ёмкостей с жидким материалом

До 3х, во встроенном кабинете

Количество манипуляторов

До 2х

Подогрев материала в линии

до 60°С

Требуемые подключения

Электропитание: 400 В, 3 фазы, 50 Гц;

Вакуум: -0,8 бар

Подача сжатого воздуха (опционально): 8 бар

Подача азота (опционально): 4.5 бар

Вытяжка: 220 м3/ч

Дренаж

Габариты

1200 х 650 х 1300 мм

Установка CHEMIXX 30pm предназначена для отмывки полупроводниковых пластин диаметром до 300 мм, подложек и фотошаблонов размером до 9” x 9”, с использованием растворителей, мегазвука и механической очистки щёткой

Размеры пластин/подложек

Круглые диаметром до 300 мм,

Квадратные с размерами до 9”x 9” (230х230 мм)

Скорость вращения

до 4 000 оборотов в минуту

Количество ёмкостей с жидким материалом

До 3х, во встроенном кабинете

Количество манипуляторов

До 2х

Подогрев материала в линии

до 60°С

Требуемые подключения

Электропитание: 400 В, 3 фазы, 50 Гц;

Вакуум: -0,8 бар

Подача сжатого воздуха (опционально): 8 бар

Подача азота (опционально): 4.5 бар

Вытяжка: 220 м3/ч

Дренаж

Габариты

1200 х 650 х 1300 мм